PIN三節(jié)非晶硅、非晶硅鍺薄膜太陽能電池工作原理的基礎是半導體PN結的光生伏打效應。

所謂光生伏打效應就是當物體受到光照時，物體內(nèi)的電荷分布狀態(tài)發(fā)生變化而產(chǎn)生電動勢和電流的一種效應。當太陽光或其他光照射半導體的PN結時，就會在PN結的兩邊出現(xiàn)電壓，叫做光生電壓。光生伏打效應: 當光照射到pn結上時，產(chǎn)生電子--空穴對，在半導體內(nèi)部P-N結附近生成的載流子沒有被復合而到達空間電荷區(qū)，受內(nèi)部電場的吸引，電子流入n區(qū)，空穴流入p區(qū)，結果使n區(qū)儲存了過剩的電子，p區(qū)有過剩的空穴。它們在p-n結附近形成與勢壘方向相反的光生電場。光生電場除了部分抵消勢壘電場的作用外，還使p區(qū)帶正電，N區(qū)帶負電，在N區(qū)和P區(qū)之間的薄層就產(chǎn)生電動勢，這就是光生伏特效應。當把能量加到純硅中時（比如以熱的形式），它會導致幾個電子脫離其共價鍵并離開原子。每有一個電子離開，就會留下一個空穴。然后，這些電子會在晶格周圍四處游蕩，尋找另一個空穴來安身。這些電子被稱為自由載流子，它們可以運載電流。將純硅與磷原子混合起來， 只需很少的能量即可使磷原子(最外層五個電子)的某個“多余”的電子逸出，當利用磷原子摻雜時，得到的硅被成為N型（“n”表示負電），太陽能電池只有一部分是N型。另一部分硅摻雜的是硼，硼的最外電子層只有三個而不是四個電子，這樣可得到P型硅。P型硅中沒有自由電子（“p“表示正電），但是有自由空穴。空穴實際是電子離開造成的，因此它們帶有相反（正）的電荷。它們像電子一樣四處移動。電場是在N型硅和P型硅接觸的時候形成的。在交界處，它們確實會混合形成一道屏障，使得N側(cè)的電子越來越難以抵達P側(cè)。最終會達到平衡狀態(tài)，這樣我們就有了一個將兩側(cè)分開的電場。